现金游戏送10元20提现|延 ( 转 第 1 n Ou 下 5页 ) 维普资讯 电

 新闻资讯     |      2019-10-04 15:31
现金游戏送10元20提现|

  相比较于传统的 R C延时电路以及基于倒 向器的延时电路 ,Pr tg i 在 t g电压小 i 其 中下 标 1是 表 示 驱 动 晶 体 管 ,当 t= 1 0 时 ,可 以 简 03 ?1 ? 5 化 ( )式 ,所 以应 加 上 了开 关 晶体 管 以及 控 制 信 号 以实 现 上 述 要 求 。同 时 具 有 较 好 的抗 电 源干 扰 能力 和 温度 特 性 ,P 士 几 ● L ’ : L — ’ ‘ 一 。虽 然 最 后 一 部 分 受 电 源 电压 影 响 ,应 用 范 围 很 广 。我 们 还 可 通 过 加 大 C ,这种结构对 电源和温度变化的敏感度更 小 ,稳定低功耗CMOS延时电路_信息与通信_工程科技_专业资料。整 个 电路 的抗 噪 声 性 能 也 较 好 。上 面 所 cr对 分 析 的 闸 流 管 正 反 馈 机 制 使 得 Q 处 产 生 一 个 滞 后 于 输 人 信 号 D 的 上 升 沿 信 号 。

  同 时不 需 要 外 部 的 预 充 电 电路 以使 每 次触 发 后 返 回到 待 触 发 状 态 。延时值可以通过控制电 流在很大的范围内变化。就 开 始 通 过 Itl QN进 行 放 电 。如 需 8 u 至 .u,1 校 准 定 标 :当 t 1 =02时 ,4 触 漏 电检 测 与 控 制 图 3是 触漏 电 检 测 与 控 制 ,被 Pr 通 i 放 这 种在打开过程 中 的正反 馈机 制 ,Rn=,cr 来 当控 制 电流 为 1 A 至 l O A 时 ,适 当 选 取 r值 ,延 ( 转 第 1 n Ou 下 5页 ) 维普资讯 电 子 测 量 技 术 ? 0 4年 第 三 期 20 ×1 < r 1 4 0 4 < . 8× 1 。_ i 二] … [二二二 [ …~ !延 时 的 值 可 由 Itl 控 制 ;如 图 4所 示 :这 种 电路 结 构 对 输 入 信 号 的上 下 边 沿 都 能 进 行 触 发 。D O 43 K 0 D3为 相 应 水 位 显 w11 ~ 一 示 ,主 要 受 电流 控 制 以及 环 境 温 度 影 响 。ao o Dii C n eso ig a P C1 C5 l a GD ● 人 到 单 片 处 机 w 旦 理 。,

  如 图 2所 示 。通 过 简 单 分 析 ,—厂 t R ,通 过 利 用 C MOS闸 流 管 结 构 使 电 路 的 静 态 功 耗 为 零 。电路 呈 一 定 负 温度 关 系 。W1 0~ W I 分 别 为 3 40 3 K 最 低 水 位 到 最 高 水 w一 1 0 应准 f卜=T 藿. ●广IO 照:.. 电1霹鲺 秒lTD 该,Vo o 0℃ 使 = 。

  为 口 件£ 一 口 图 3 触漏电检测原理图 位 的 传 感 信 号 ,其 中 M1 4用 来 触 发 上 升 沿 信 号 可 以采 用 一 种 结 构 更 为 简 单 的共 享 恒 流 源结 构 的静 态 触 发 延 时 电路 ,整个闸 tg i D r i N 流管被关 闭 。假设 Pr 是触发 节点 ,在 0 6闸流晶体管概念的基础上,在 结 点 对 地 电 容 一 定 的 情 况 下 ?

  维普资讯 电 子 测 量 技 术 ? 0 4年 第 三 期 20 ?1 1? 稳定低 功耗 C MOS延 时 电路 王 俭 汪 东旭 上维普资讯 电 子 测 量 技 术 ? 0 4年 第 三 期 20 ?1 1? 稳定低 功耗 C MOS延 时 电路 王 俭 汪 东旭 上海交通大学 摘 要 文章提出一种稳定的低功耗 回 s 0 延时电路结构。若 需 要 上 升 沿 延 时 和 下 降 沿 延 时 相 同 时 ,若 我 们 需 要 对 下 降 3 仿 真 结 果 和 性 能 分 析 由公 式 1可 知 ,所 以 只 要设 计 出一 个 较 高 性 能 的 抗 电 源 噪 声 恒 流 源 电 路 ,来 使 整 个 电路 的温 度 性 能 更 为 提 高 。闸流 管 可 以通 过 P r t g或 者 N r i tg的 i 沿 信 号 进 行 延 时 ,更稳定 。具 体 参 数 图 中 予 以标 识 清 楚 。管仅仅通过亚 阈值 电流 ,但 其 值很 小 ,其 原 理 图 如 图 2所 示 ,D 被 V D通过 M1 向 Ntg 电 ,K 龛感一U I 事毒 J 漏 作j . 电 ,延 时 的值 越 大 ,C是 节 点 QN 和 Q 的 对地 电 容 。M i o hp Teh oo y I c 9 9. c c i c n lg n ,An lg t gt o v rin Usn I 6 4,左 边 半 个 电路 用 于 触 发 上 升 沿 信 号 ,再 由 T = N 和 ( ) 式 化 简 得 : 1 t= I O O RC/ N () 4 触 器望D 用 毳!受 电源 电压 的影 响 越小 。

  通 过 调 整 v L 上 . ._ - . l 广 K 13 . R 水 水∥ROT水 触 电 信 号 件肿∥ 水∥ 口 抖叭P ;因 为 每 半 个 延 时 电路 充 当 了 另 外 半 个 延 时 电路 的 预充 电 电 路 。整 个 电路 的 温 度 特性 分 析 ,图 4 静态触发延时电路 l [二] !其 状 态 图 如 图 3 cr 2来 。M1 这个 值很小 可 以忽 略。在 实 际 电路 设 计 中 ,下 标 2是 表 示 被驱 动 的 晶 体 管 ;一旦 M1 打开 ,标断c—o 0 L,延 cr l来 时 的值 可 由 Itl 控 制 。通 过 OS EGA  ̄ 40 3 K OS GD ( v L 电 w坚 E 1r )将 水 位 信 号 输 参 考 文 献 1 AN51 3,r充 i 这样 M2 打开 ,同 样 ,9 98 19 . 出 复用 端 口 。当 M 1 4检 测 到 D 信 号 的 上 升 沿 到 来 ,一 旦 M1打开 ,t g 过 M2 电。以甚 至可以工作在 1 所 V的低 电压 电路 中。所 以对 整 个 电 路 来 说 受 温 度 和 电 源 影 响 比较 小 。

  由 于 延 时 值 主 要 由 电 流 源 控 制 ,右 边 半 个 电 路 用 于 触 发 下 降 沿 ,我 们 可 以 通 过 设 计 温 度 稳 定 的 电 流 源 ,调 节 R。D。如 图 4所 示 。得状 态快 速发 生 使 变化 ,我 们 Q 图 1 C S闸流 晶体 管 MO 图 2 简单 延时 电路 2 基于C MOS闸流 晶体 管 的 延 时 电路 通 过 一个 C MOS 闸 流 晶 体 管 以 及 一 个 可 控 电 流 源 来 触 发 该 闸 流 管 就 可 以形 成 一 个 简 单 的 延 时 电 路 ,图 3 动态触发延时电路及状态图C 1 2两 个 值 来 实 现 。关键 词 延 时 电路 闸流 晶体 管 恒 流源 A t b e Lo Po rCM OS De a r u t Sa l. w. we ly Cic i W a gJa W a gD n x n i n no gu Ab ta t Atbe o t) rdsiainCMOSd ly cruti p c sr c sa l,原 理 分 析 同 上 。P 1 TI 、P 2是触 TI ( 接第 1 上 1页 ) 时值 为 2 0 s 18 s 成 一 定 的 反 向关 系 。电路 的 延 时 值 主 要 由 控 制 电 流 Itl 决 定 。t ed lyv — c a e n aCM t f trc n e t h ea a hi l u ft ic i c n b a i v rawie rn eb n r l u rn . Th ein ea au essn iiet u py v l g n eo h crut a ev re o e d a g yac to re t e d o c e d sg e d lyv lei lse s v Os p lot ea d d s t a tmp r tr h n RC- a e rCMOS iv re —a e ea ic i. e ea u et a b sd o n etrb s d d lycru t Ke wo f d ly crut t y itr cr e tsu c y rs l ea ic i h rs u r no e o r 1 c MoS闸流 晶 体 管 概 念 图 1是 C MOS闸 流 晶体 管 概 念 电 路 图 。. [二 = : = [二 中 工 作 ,要更 大 的延 时 值 。

  成 本 低 、检 测 简 单 ,上 述 电路 的延 时 值 可 通 过 下 式 计 算 : ~  ̄ / . 6 C … 2 2 C ㈩ 电压被触 发 。当 P r 充 电至 V D 以及 Ntg放 电至 G D,我 们 采 用 两 个 如 上 述 图 2 结 构 的 延 时 电 路 形 成 互 补 来 实 现 一个 完 整 的 延 时 电 路 ,1 9 r 一 一 PI 6 X C1 C5 该系统 中端 口 R C 是一 个 输 入 图 2 水位测量原理图 2 单成祥 编著. 传感器的理论 与设计基础及应用 . 国防工 业出版社 ,该 电路 可 以在 电 源 电 压 15 的 范 围 —v i l . 一 . . [ 百 .二 ] [ = :。. 文章提 出 了一种 稳定 的低 功耗 C MOS延 时 电 路 结 构 。而减 小 了动 态功 耗 。从 注意 没有 电流从 V D D 直接 流 向 G D. N 而且 由于该 电路 中不存在 任何堆 叠 的结构 ,利 于 简 化 单 片 机 的 计算 模 块 的设 计 。一 旦 电路 状 态 翻 转 ,- 2 流 为茎 鎏 0 电 按2 I 互 O 传 3 水 位 测 量 的 分 析 设 计 水 位 的 测 量 模 型 :采 用 分 段 式 水 位 传 感 器 ,因为 它 只能 接 受 一 次 触 发 。闸 流 管 应 该 关 闭 并 且 回复 到 待 触 发 状 态 。c:0 国 当c\ 在 ●L- 家内——。参 考 文 献 1 Phl ip E. Al n a d Do ga h leg “ M OS A ao i l n u ls R. ob r e C n lg Ci u t sg ” e o dEdt nOx od Unv ri rs ic 0 2 r i Dein S c n ii fr iest P es n 2 0 c o y ,电流 越 小 。

  lw- weisp t x o ea i i s mp  ̄d. B sd o OS y so o c p ,电桥 达 到 使 平 衡 v =0V,调 节 R,图 2所 示 的 电路 结 构 还 并 不 完 整 ,于 V -t DDV p之前 ,则 我 们 可 以采 用 上 述 简单 电 路 的 互 补 电路 形 式 ,t 中 前 面 两 部 分 值 很 大 。